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  • 檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "碳化矽".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="乙炔"


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    理論計算於乙炔在矽(100)表面碳化機制之研究
    • 化學工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 陳琮叡 指導教授: 洪儒生 江志強
    • 碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
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    • 全文公開日期 2025/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以三氯甲基矽烷為前驅物在Si(111)碳化晶片上製備碳化矽緩衝層之研究
    • 化學工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 蔡佩君 指導教授: 洪儒生
    • 本論文使用兩個連續程序,在配備即場式X射線光電子能譜儀(XPS)和反射式高能電子衍射儀(RHEED)的超高真空化學氣相沉積(UHV-CVD)系統中,進行矽晶片(Si(111))的表面碳化和 SiC …
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